牛道配资芯片涨价潮蔓延至“传统产品” 供需缺口扩大引发关注

当前存储芯片涨价周期势头未减，传统产品的价格也有所回升。华尔街知名投行摩根士丹利发布研报称，传统存储芯片的供需缺口正在持续扩大，从2025年第二季度至2026年牛道配资，行业将迎来新一波超级周期。DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等内存产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。

由于先进制程存储产品如DDR5、HBM产能需求强劲，成熟制程产能分配受到挤压。2026年1月，头部企业对DDR4芯片采购表现积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度。随着产能向DDR4转移，高密度DDR3芯片将严重短缺，带动相关供应商的业绩增长。

闪存芯片方面，摩根士丹利预计NOR Flash在2026年一季度上涨20%至30%牛道配资，涨价趋势或延续至下半年。常规NAND Flash供应大幅缩减，其细分类别MLC与SLC NAND一季度价格涨幅将超50%，采用先进制程工艺的高密度SLC NAND价格涨势也将跟进。

基于类似原因，摩根大通分析团队维持了对内存巨头SK海力士的“增持”评级，并将目标价上调至100万韩元。分析师指出，AI内存需求长期增长趋势未变，加上潜在的美股上市计划，将成为推动SK海力士股价上涨的双重催化剂。未来3至6个月内，强劲的定价动能将推动公司盈利预期上调，预计2026至2027财年的每股收益将有20%至25%的向上修正空间。

此前多家机构预计，随着AI数据中心高端存储产品需求持续增加，存储芯片价格将在2026年继续走高。市场研究机构Counterpoint今年1月报告指出，内存市场已进入“超级牛市”阶段，当前状况超过2018年的历史高峰，供应商影响力达到历史新高。预计内存价格在2025年第四季度激增40%至50%，还将在2026年第一季度上涨40%至50%，在第二季度上涨20%左右。

尽管相关厂商增加资本投入，但产能增长存在显著时间延迟，导致严重的供需失衡。预计2026年DRAM存储器产量将同比增长24%，但仍需一段时间来满足需求。市场研究机构IDC去年12月报告表示，2025年底全球半导体生态系统经历了前所未有的内存芯片短缺，这一连锁反应可能持续到2027年。IDC预计，2026年DRAM和NAND的供应增长率将低于历史平均水平，同比分别为16%和17%。

IDC分析师团队认为，这并非只是供需错配引发的周期性短缺牛道配资，而是全球硅晶圆产能一次潜在的、永久性的战略再分配。智能手机和个人电脑用DRAM与NAND闪存一直是存储产能的主要驱动力，如今这一动态已经逆转。微软、谷歌、Meta和亚马逊等超大规模服务商对HBM的需求迫使三大内存制造商将有限的净室空间和资本支出转向利润率更高的企业级组件，形成零和博弈。

配资炒股平台网站提示：文章来自网络，不代表本站观点。